Компания Intel решила не дожидаться выставки Consumer Electronics Show 2010 и в преддверии Нового года официально анонсировала "атомную платформу” следующего поколения. Среди ключевых улучшений относительно предшественницы называются более низкая потребляемая мощность, возможность создания более компактных систем, а также увеличенная производительность.

Компания Fuji Soft представила коммерческую модель робота на соревновании All Japan Robot Tournament (Sumo Wrestling). Этот человекоподобный робот получит официальное название и начнет продаваться в следующем году. О том, сколько он будет стоить, пока ничего не известно. Робот базируется на процессоре Intel Atom с тактовой частотой 1,66 ГГц и операционной системе Ubuntu Linux со средой разработки приложений Eclipse.

Учёные из Университета Аризоны (Arizona State University) разработали элегантный метод существенного повышения емкости электронных чипов компьютерной памяти. Возглавляемая профессором инженерии электронных систем и директором Центра прикладной наноионики (Center for Applied Nanoionics) Михаэлем Козики (Michael Kozicki) группа сотрудников продемонстрировала "технологию ионной памяти", которая является одним из кандидатов на использование в будущих устройствах хранения информации. Дополнительное преимущество разработки – это отсутствие потребности в экзотических материалах для производственного процесса.

Команда в составе учёных из Йельского университета (Yale University) и Кванджуйского института наук и технологий (Gwangju Institute of Science and Technology), Южная Корея, успешно создала первый транзистор из единственной молекулы. Исследователи продемонстрировали, что присоединённая к золотым контактам молекула бензола ведёт себя как кремниевый транзистор. Различные энергетические состояния объединения атомов контролируются приложенным к контактам напряжением. В свою очередь, управление состояниями позволило менять проходящий через молекулу ток.

Исследователи из Стэнфордского университета (Stanford University) создали первые трёхмерные электронные схемы из нанотрубок. Данное достижение может стать важнейшим шагом на пути к компьютерам с вычислительными элементами на основе нанотрубок, обладающим превосходящим сегодняшнюю "кремниевую" технику быстродействием и потребляющим меньше энергии. До их появления должно пройти ещё не менее 10 лет, но значительность результата стэнфордских учёных в том, что показана принципиальная возможность "послойного" размещения наноэлементов из углерода. Подобные чипы будут иметь большую вычислительную мощность на единицу площади и лучше рассеивать тепло.

Исследователям из Токийского университета (University of Tokyo) удалось разработать так называемую органическую флеш-память. Изобретение японских ученых представляет собой энергонезависимую память, изготовленную из органических материалов и при этом сохраняющую ту же внутреннюю структуру, что и стандартная NAND память, а также способную достигать того же уровня плотности.

В Великобритании сеть из тысяч компьютеров работает над симуляцией транзисторов, размеры которых не превышают 30 нм. Результаты должны помочь разработчикам чипов справиться с физическими ограничениями, проявляющими себя при создании элементов в столь малом масштабе. Уже затрачено около 20 лет вычислительного времени на моделирование сотен тысяч полупроводниковых компонентов.

Toshiba представила МДП-транзистор (металл-диэлектрик-проводник, или Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET), построенный на основе так называемого спинового токопереноса, происходящего за счет управления спином электронов (характеристика, связанная с направлением их вращения). Появление подобного компонента весьма многообещающе – на его базе могут быть созданы быстродействующие энергонезависимые логические модули с функцией запоминания, имеющие к тому же чрезвычайно низкий уровень энергопотребления. Демонстрация первой стабильной спинтронной ячейки Toshiba произошла во время проходившей с 7 по 9 декабря в Балтиморе международной встрече по электронным устройствам.

Новая технология предполагает формирование трех слоев в канале: эпитаксиального кремния, кремния, легированного углеродом (Si:C), и слоя Si:C, легированного бором. При этом верхний слой эпитаксиального кремния выполняет роль проводника с низким сопротивлением для электронов и дырок; средний слой Si:C препятствует диффузионному распространению примеси, а нижний слой Si:C, легированный бором, подавляет утечки, вызванные формированием слоя Si:C. По данным Toshiba, применение новой структуры позволяет получить выигрыш в производительности на 15-18% по сравнению с традиционными технологиями. Предложенная структура может быть использована для формирования как nMOS, так и pMOS транзисторов, причем переход на ее использование требует внесения всего лишь нескольких относительно простых этапов в обычный процесс изготовления CMOS-чипов.

Компания IBM провела две серии презентаций, в которых были затронуты проблемы технологий производства полупроводниковых устройств. В лекциях под названием "Scaling Challenges: Device Architectures, New Materials, and Process Technologies” основное внимание представители IBM уделили микротехнологиям. В других под названием "Low Power/Low Energy Circuits: From Device to System Aspects” были рассмотрены вопросы снижения потребляемой мощности устройств.